Gap semicondutor (silício)

Eg ≈ 1.12 eV a 300K.

Criado por: Renato Passos, Eng. de Software
Revisado por: Renato Passos, Eng. de Software

Última atualização: 18 de abr. de 2026

(sem entrada)

Eg

1,120 eV

Outras calculadoras de Matéria Condensada

n intrínseco aprox Resistividade condutor Mobilidade elétrons Energia de Fermi (gás elétrons)